Dell戴尔 PowerEdge T150塔式服务器系统内存指南
PowerEdgeT150系统支持 DDR4 寄存式 DIMM (UDIMM)。系统内存保存由处理器执行的指令。
系统包含四个内存插槽，分入两个通道。在每个通道中，第一个插槽的释放拉杆标为白色，第二个插槽的释放拉杆标标为黑色。
内存通道按如下方式组织：
| 通道 0 | 通道 1 |
|---|---|
| A1 和 A3 | A2 和 A4 |
| DIMM 类型 | 列 | 容量 | DIMM 的额定电压和速度 | 每个的 DIMM (DPC) |
|---|---|---|---|---|
| UDIMM | 1R | 8 GB/16 GB | DDR4 (1.2 V)、3200 MT/s | 3200 MT/s |
| 2R | 32 GB | DDR4 (1.2 V)、3200 MT/s | 3200 MT/s |
Dell戴尔 PowerEdge T150塔式服务器一般内存模块安装原则
为确保获得最佳系统性能，请在配置系统内存时遵守以下一般原则。如果系统的内存配置无法查看这些原则，系统可能无法引导、在内存配置期间停止响应，或者可能在降低内存的情况下运行。
内存总线的工作速度高达 2933 MT/s，具体取决于以下因素：
- 所选的系统配置文件(例如,性能优化,或自定义[高速运转可以运行或更低])
- 处理器支持的最大 DIMM 速度
- 支持的最大 DIMM 速度
- DIMM 的排列
注:MT/s 表示 DIMM 速度 (MT/s)。
此系统支持灵活内存配置，使系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议您遵循以下原则，以安装内存模块：
- 所有 DIMM 都必须是 DDR4。
- 如果安装的内存模块的速度不同，则这些模块将以其中速度最低的模块的速度运行。
- 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。
- 对于单处理器系统，插槽 A1 至 A4 可用。
- 在优化器模式中，DRAM 控制器会在 64 位模式下独立运行并提供优化的内存性能。
注:在同一通道中将双列 DIMM 与单列或双列 DIMM 混合时，DIMM 速度限制为 2933 MT/s。
表 1. 内存填充规则 处理器 配置 内存填充 内存填充信息 单处理器 优化器(独立通道)填充顺序 A{1}、A{2}、A{3}、A{4} 允许 1、2、3、4 个 DIMM。 - 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽，然后填充带黑色释放卡舌的插槽。
- 不平衡或奇数内存配置会导致性能损失，并且系统可能无法识别正在安装的内存模块，因此请始终使用数量相等的 DIMM 以相同方式填充各内存通道，以获得最佳性能。
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